特許
J-GLOBAL ID：200903080654300428
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079524
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高効率の薄膜太陽電池を、確実、容易に低コストをもって製造し、したがって、エネルギー回収年数の減少をはかることができる。【解決手段】 半導体基体の表面を多孔質層に変化させる工程と、この多孔質層に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜を上記多孔質層を介して半導体基体から剥離する工程と、多孔質層の上記半導体基体に残存する多孔質膜をエッチング除去する多孔質膜の除去工程とを採る。
請求項（抜粋）：
半導体基体表面を多孔質層に変化させる工程と、該多孔質層に、少なくとも太陽電池の活性層を構成する半導体膜を成膜する工程と、該半導体膜を上記多孔質層において上記半導体基体から剥離する工程と上記半導体膜の上記剥離面に残存する上記多孔質層の残存多孔質膜を除去するエッチング工程とを有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 21/306 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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