特許
J-GLOBAL ID：200903043131131441
半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250912
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 インターポーザなどの補助的手段を用いることなく、積層された半導体チップと外部装置等とを電気的に接続することが可能であるとともに、当該構成を積層される半導体チップの大きさに関係なく採用できる半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供すること。【解決手段】 半導体チップ10a、10b、10c、10dに貫通孔12を形成する。そして、貫通孔12の内周面と開口部の近傍に金による導電膜16を形成する。さらに、貫通孔12内部に樹脂18を充填する。このような構成にすれば、半導体チップ10dの電極14と導電膜16を電気的に接続すれば、半導体チップ10a側に設けられた図示しない外部装置と半導体チップ10dとを電気的に接続することが可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体チップを複数個積層してなる半導体装置の製造方法において、複数個積層された前記半導体チップに貫通孔を形成する第1の工程と、前記貫通孔の内周面上に無電解メッキにより導電膜を形成する第2の工程と、前記貫通孔内に樹脂を充填する第3の工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 25/04 B
, H01L 23/52 C
