特許
J-GLOBAL ID:200903043156342676
半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-136475
公開番号(公開出願番号):特開2008-290170
出願日: 2007年05月23日
公開日(公表日): 2008年12月04日
要約:
【課題】支持部材上に剥離可能に設けられた厚みの薄い半導体チップを損傷させずに吸着して持ち上げる。【解決手段】吸着手段20を、ホルダー部21と、ポーラス部22と、コレット部23とから構成し、ホルダー部21に設けたポーラス部22に、コレット部23を設けるようにする。かかるコレット部23に吸着孔24を設けて、吸着孔24で吸着する。コレット部23を設けるに際しては、脱着自在に設けることで、コレット部23のみを交換して半導体チップ11の種々の形状、大きさに合わせることができる。特に、吸着孔の設定に際しては、半導体チップの吸着度を変化させた対応も可能である。【選択図】図5
請求項(抜粋):
支持部材に剥離可能に設けられた半導体チップを吸着して持ち上げる工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの吸着は、ポーラス材の吸着面に設けた吸着孔を有するゴム材を介して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
B25J15/06 N
, H01L21/68 A
Fターム (10件):
3C007AS24
, 3C007FS01
, 3C007FT08
, 3C007FT11
, 3C007GS04
, 3C007NS17
, 5F031CA13
, 5F031GA08
, 5F031GA23
, 5F031MA35
引用特許:
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