特許
J-GLOBAL ID：200903043163485083
奇数状態メモリセルを用いて仮想的ページ記憶を支援する不揮発性半導体メモリ装置およびこれをプログラムするプログラミングの方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-114588
公開番号（公開出願番号）：特開2006-309928
出願日： 2006年04月18日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】マルチビットエラーの可能性を減少させる奇数状態不揮発性メモリデバイス及び不揮発性メモリデバイスのプログラミング方法の提供。【解決手段】不揮発性メモリアレイは、内部に3状態メモリセルの第1および第2ブロックを有するフラッシュメモリアレイを含む。第1および第2ブロックは、それぞれ個別的に実際的メモリセルの第1および第2ブロックとして、そして結合的に仮想的メモリセルの追加的なブロックとして動作する。前記実際的メモリセルの第1および第2ブロック、そして仮想的メモリセルの追加的なブロックは、読み出しデータの3ブロック全体を提供するために独立に読み出すことができる。【選択図】図4a
請求項（抜粋）：
集積回路デバイスにおいて、
データの第1及び第2ブロックを個別的にそれぞれ支援するように形成され、前記データの第1及び第2ブロック上にエンコードされるデータの第3ブロックを結合的に支援するようにさらに形成される3状態不揮発性メモリセルの少なくとも第1及び第2ブロックを自分内に有するメモリアレイを備えることを特徴とする集積回路デバイス。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 611G
, G11C17/00 613
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 641
5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA11
, 5B125DA01
, 5B125DB01
, 5B125DE08
, 5B125EA05
, 5B125FA01
, 5B125FA05
出願人引用 (2件)
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米国特許第5,862,074号明細書
-
米国特許第5,768,188号明細書
審査官引用 (3件)
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