特許
J-GLOBAL ID：200903064902023082

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036024
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210085
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 3値の情報を記憶することができ、かつ誤ベリファイを招くことなく書込みベリファイ動作の高速化をはかり得るEEPROMを提供すること。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置において、電気的書き換えを可能とし第1、第2、第3の記憶状態を持つことが可能な22個のメモリセルが11対を成し、前記11対のうちの10対のそれぞれは3ビットのデータを記憶し、残りの1対は2ビットを記憶し、前記11対で32ビットのデータを記憶する。
請求項（抜粋）：
電気的書き換えを可能とし第1、第2、第3の記憶状態を持つことが可能な22個のメモリセルが11対を成し、前記11対のうちの10対のそれぞれは3ビットのデータを記憶し、残りの1対は2ビットを記憶し、前記11対で32ビットのデータを記憶する、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM