容量素子付き回路基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031869
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板上に形成される薄膜容量素子の静電容量値を正確な値とすることができない。【解決手段】絶縁基板1上に薄膜回路配線2と、薄膜下部電極層5と誘電体層6と薄膜上部電極層7とから成る複数個の薄膜容量素子3a、3bを形成して成る容量素子付き回路基板であって、前記絶縁基板1の少なくとも薄膜容量素子3a、3bが形成されている表面の粗さが中心線平均粗さ(Ra)でRa≦0.1μmである。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に薄膜回路配線と、薄膜下部電極層と誘電体層と薄膜上部電極層とから成る複数個の薄膜容量素子を形成して成る容量素子付き回路基板であって、前記絶縁基板の少なくとも薄膜容量素子が形成されている表面の粗さが中心線平均粗さ(Ra)でRa≦0.1μmであることを特徴とする容量素子付き回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/16 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H05K 1/16 D , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291298 出願人：京セラ株式会社
特開昭62-261192
特開昭60-103690

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