特許
J-GLOBAL ID：200903043183674435
不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたシステムLSI
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013565
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210073
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 リコール/ストア動作を高速化し、消費電力を低減し、10年間の連続動作を保証することができる不揮発性半導体記憶装置を得る。【解決手段】 行アドレス判定回路1により直前の読み出し/書き込みサイクルと今回のサイクルとで行アドレスが同じであるか異なるかを判定し、同じときにはセンスアンプ7内に記憶しているデータに読み出し/書き込みを行って、メモリセルにリコール/ストア動作を行わない。異なるときには直前のサイクルで選択されていたメモリセルにストア動作を行い、その後、今回のサイクルで選択されたメモリセルにリコール動作を行う。得られた揮発性データをそのメモリセル内と該当する列アドレスに接続されるセンスアンプ7内に記憶させる。
請求項（抜粋）：
データを揮発性データおよび不揮発性データとして記憶可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、メモリセルのデータを読み出す読み出しサイクル、またはメモリセルにデータを書き込む書き込みサイクルを起動する起動信号が入力されたときに、直前のサイクルと今回のサイクルとで入力された行アドレスが同じであるか異なるかを判定する行アドレス判定回路とを備え、直前のサイクルと今回のサイクルとで行アドレスが異なるときには、直前のサイクルの行アドレスで選択されていたメモリセルに対して揮発性データを不揮発性データとして記憶させるストア動作を行い、その後、今回のサイクルの行アドレスで選択されたメモリセルに記憶している不揮発性データを揮発性データに変換するリコール動作を行って、得られた揮発性データをメモリセル内および該当する列アドレスに接続されるセンスアンプ内に記憶させるか、またはセンスアンプおよびラッチ回路の少なくとも一方に記憶させ、直前のサイクルと今回のサイクルとで行アドレスが同じであるときには、メモリセル内、または、該当する列アドレスに接続されるセンスアンプ内もしくはラッチ回路に記憶している揮発性データに対して読み出しまたは書き込みを行って、メモリセルからの不揮発性データの読み出しまたはメモリセルへの不揮発性データの書き込みを行わない不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 11/22
, G06F 12/16 310
, G06F 12/16 340
, G11C 14/00
, G11C 16/02
, G11C 16/06
G11C 11/22
, G06F 12/16 310 A
, G06F 12/16 340 Q
, G11C 11/34 352 A
, G11C 17/00 614
, G11C 17/00 631
5B018GA04
, 5B018GA06
, 5B018HA23
, 5B018HA32
, 5B018HA33
, 5B018KA03
, 5B018KA22
, 5B018KA23
, 5B018MA23
, 5B018MA24
, 5B018NA02
, 5B018NA06
, 5B018NA08
, 5B018PA03
, 5B018QA05
, 5B018RA04
, 5B018RA11
, 5B024AA01
, 5B024AA03
, 5B024AA11
, 5B024AA15
, 5B024BA09
, 5B024BA21
, 5B024BA23
, 5B024BA25
, 5B024BA29
, 5B024CA07
, 5B024CA15
, 5B025AD01
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD15
, 5B025AE05
, 5B025AE06
, 5B025AE08
