特許
J-GLOBAL ID：200903043185848325
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146587
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335497
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】コントロールゲートとフローティングゲートのカップリング比を大きくとることにより、さらに装置の高集積化、微細化をすることができる半導体不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板10のチャネル形成領域の少なくとも一方側に形成された素子分離絶縁膜22aと、前記チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜23と、ゲート絶縁膜23上に形成された凹型の形状を有するフローティングゲート30aと、フローティングゲート30a上に形成された中間絶縁膜25と、中間絶縁膜25上に形成されたコントロールゲート31とを有する構成とする。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートに電荷を蓄積する半導体不揮発性記憶装置であって、半導体基板のチャネル形成領域の少なくとも一方側に形成された素子分離絶縁膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された凹型の形状を有するフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に形成された中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを有する半導体不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
