特許

J-GLOBAL ID：200903043220583160

処理装置

発明者： 松野 博光 ,  菱沼 宣是 ,  菅原 寛
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 五十畑 勉男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-390885
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158796
出願日： 2003年11月20日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】この発明は、従来の活性化された酸素による処理とは異なり、被処理物への酸化の影響を抑制した処理装置を提供することにある。更には、真空紫外光を利用した処理装置であって活性化された酸素による処理では充分な処理速度が得られないような処理、例えばイオン注入されたレジストの灰化・除去等を可能とする処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び/または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがNmHn(Nは窒素原子、Hは水素原子、m、nは、任意の自然数)であり、該NmHnガスに、前記光源から放射される真空紫外光の照射手段を具備したことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空紫外光を放射する光源と、該光源を具備した放電容器及び/または処理空間を備え、光を照射することにより活性化されるガスを導入する導入口を配置した処理装置であって、該活性化されるガスがNmHn(Nは窒素原子、Hは水素原子、m、nは、任意の自然数)であり、前記光源から放射される真空紫外光を該NmHnガスに照射する手段を具備したことを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B08B7/00 ,  H01L21/302

FI (3件)：

H01L21/304 645D ,  B08B7/00 ,  H01L21/302 201B

Fターム (13件)：

3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB01 ,  3B116BC01 ,  5F004AA08 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB04 ,  5F004BC01 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特公平4-9373号
  
• 特許第2948110号
  
• 金属窒化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-145632   出願人：日本電気株式会社
• 電磁放射を用いた半導体の表面変更
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-524812   出願人：クエスターテクノロジーインコーポレイテッド
• 光励起ガス反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-029373   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• 電磁放射を用いた半導体の表面変更
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-524812   出願人：クエスターテクノロジーインコーポレイテッド
• 光励起ガス反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-029373   出願人：株式会社日立製作所