特許
J-GLOBAL ID：200903043223173353
磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306217
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】巨大磁気抵抗効果(GMR)センサを構成する各薄膜は、数ナノメートル程度となっており、今後ますます薄くなっていく傾向にある。ところが、膜厚が薄くなると、十分な特性が得られなくなるという問題がある。【解決手段】磁気ヘッドを、非磁性下地膜の上に直接強磁性膜の第一磁性層と、前記第一磁性層の上に、非磁性層とその上に直接強磁性膜の第二磁性層が順に積層されて形成され、前記非磁性下地層の上面の強磁性膜がニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、またはこれらの合金で形成され、前記第一磁性層の下面の非磁性膜がルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、またはこれらの合金からなり、第一磁性層の下面に接触する非磁性膜が形成するときの前記基板の温度が400K以上1200K以下とした。
請求項（抜粋）：
基板上に、非磁性膜からなる非磁性下地層と強磁性膜を備えてなる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、少なくとも非磁性膜なる非磁性下地膜の上に直接強磁性膜を形成した第一磁性層と、前記第一磁性層の上に非磁性膜からなる非磁性層の上に直接強磁性膜を形成した第二磁性層が順に積層されて形成され、前記非磁性下地層の上面に接触する強磁性膜がニッケル(Ni)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、またはこれらの合金を主構成材料とし,なおかつ前記第一磁性層の下面に接触する非磁性膜がルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、またはこれらの合金を主構成材料とし、前記第一磁性層の下面に接触する非磁性膜が形成される際の前記基板の温度が400K以上1200K以下であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Fターム (4件)：
5D034BA03
, 5D034BA17
, 5D034BA18
, 5D034BB01
