特許
J-GLOBAL ID：200903043227857257

エッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子

発明者：
川島 敦道

川島 敦道 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 大森 純一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238160
公開番号（公開出願番号）：特開2003-048751
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 光学素子の表面を滑らかにできるエッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子を提供すること。【解決手段】 等方性エッチングによりレジスト膜6に形成された階段状の形状を滑らかにし、これを異方性エッチングによって石英ガラス基板5に転写することとしたので、異方性エッチングのみによる場合に比べ、より滑らかで高精度な形状のレンズの製造が可能である。異方性エッチングと等方性エッチングとの選択を、ICP-RIE装置1の電極8に印加されるバイアス電圧の有無によることとしたので、より異方性エッチングと等方性エッチングの選択が極めて容易にできることとなりレンズの表面形成の迅速化も図れる。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に、階段状の表面を有するようにレジスト膜を形成する工程と、(b)前記形成されたレジスト膜の表面に等方性エッチングを施す工程と、(c)前記等方性エッチングがなされた後に、前記基板から前記レジスト膜を除去するように異方性エッチングを施す工程とを具備することを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
C03C 15/00 ,  C03C 15/02 ,  G02B 3/00
FI (4件)：
C03C 15/00 D ,  C03C 15/00 A ,  C03C 15/02 ,  G02B 3/00 Z
Fターム (6件)：
4G059AA11 ,  4G059AB06 ,  4G059AB07 ,  4G059AB09 ,  4G059AC01 ,  4G059BB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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