特許
J-GLOBAL ID：200903043244688396

ダイナミック・バーンイン装置

発明者：
前崎 義博

前崎 義博 について

, 
勅使河原 寛

勅使河原 寛 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 長澤 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386153
公開番号（公開出願番号）：特開2003-185712
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のチップ内温度を正確に制御して、最適なバーンイン加速試験を行うとともに、不良ICの解析を行うことを可能とすること。【解決手段】 バーンイン槽1内に赤外線センサ1bを設ける。そして、半導体装置の表面温度を上記センサ1bにより測定する。制御部12は、半導体装置パッケージの熱抵抗値に基づき上記半導体装置の内部温度を求め、該内部温度が所望の温度になるように、温度制御装置10によりバーンイン槽1内の温度を制御する。また、上記内部温度に基づき加速係数を求め、該加速係数と予め与えられた加速期間からバーンイン時間を定め、バーンイン加速試験を行う。さらに、バーンインを行うことにより、不良半導体が発生したとき、不良が発生した半導体装置の不良アドレスを連続的にアクセスし、前記赤外線センサ1bより測定された上記半導体装置の表面温度分布から不良半導体装置の不良箇所を特定する。
請求項（抜粋）：
バーンイン用の信号をバーンイン槽内に収納された被試験対象の半導体装置に入力し、半導体装置のバーンインを行うダイナミック・バーンイン装置であって、上記半導体装置の表面温度を測定する測定手段と、上記測定手段により測定された表面温度に基づき、上記半導体装置の内部温度を求め、該半導体装置の内部温度に基づき、上記バーンイン槽内の温度を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするダイナミック・バーンイン装置。
IPC (2件)：
G01R 31/30 ,  G01R 31/26
FI (2件)：
G01R 31/30 ,  G01R 31/26 H
Fターム (17件)：
2G003AA08 ,  2G003AC01 ,  2G003AD02 ,  2G003AE08 ,  2G003AF06 ,  2G003AG01 ,  2G003AH02 ,  2G003AH04 ,  2G132AA08 ,  2G132AB03 ,  2G132AC03 ,  2G132AD18 ,  2G132AE22 ,  2G132AG01 ,  2G132AH01 ,  2G132AL12 ,  2G132AL26
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 検査方法及び検査装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041234   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132069   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開昭64-053174

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