特許
J-GLOBAL ID：200903043248290753
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031588
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 格子整合しない基板上にも高品質な窒化物半導体層、例えば高Al組成のAlGaN層を低歪みで形成し、且つ、窒素空孔などの結晶欠陥が少ない窒化物半導体からなる半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に高炭素濃度AlNバッファ層と高純度AlNバッファ層を形成し、AlGaN層を形成することにより、低欠陥化がはかれ、ひび割れの発生が抑制されるとともに、アクセプタ活性化率向上がはかれ半導体レーザなどの特性が向上する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に単結晶Al<SB>w</SB>Ga<SB>x</SB>In<SB>1-w-x</SB>N(0<w≦1、0≦x≦1)からなる第1単結晶層と単結晶Al<SB>y</SB>Ga<SB>z</SB>In<SB>1-y-z</SB>N(0<y≦1、0≦z≦1)からなる第2単結晶層とが形成され、これらの層の上に形成された素子構造部を備えた半導体素子において、前記第1単結晶層の炭素濃度が前記第2単結晶層の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041AA43
, 5F041CA22
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F073CA17
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB08
, 5F073CB19
, 5F073EA28
, 5F073EA29
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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