特許
J-GLOBAL ID：200903063386189703
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217875
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064477
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 格子整合しない基板上にも高品質なAlGaInN系半導体層を再現性良く任意の厚さで成長することができ、高輝度短波長発光素子を高歩留まりで生産する。【解決手段】 AlGaInN系材料を用いた半導体発光素子において、サファイア基板10上に成長された単結晶のAlNバッファ層11と、バッファ層11上に成長されたn型GaNコンタクト層12と、コンタクト層12上に成長されたn型Al0.25Ga0.75N閉じ込め層13,GaN活性層14,p型Al0.2 Ga0.8 N閉じ込め層15からなるダブルヘテロ構造部と、ダブルヘテロ構造部上に成長されたp型GaNコンタクト層16とからなり、GaInAlN層を単結晶AlNバッファの上に成長することにより、低欠陥のGaInAlN層の厚膜成長を可能としている。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に該基板に直接接して形成された単結晶Al<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1 )バッファ層と、このバッファ層上に形成されたAl<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x+y≦1、0≦x,y≦1)素子形成層とを具備してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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