特許
J-GLOBAL ID：200903043269985077

イオン発生素子及びイオン発生装置

発明者：
奥川 圭介

奥川 圭介 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-036954
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 耐久性に優れ、イオンを効率よく発生することができるイオン発生素子、イオン発生装置、空気清浄機、及び空調機を提供すること。【解決手段】 イオン発生素子5は、アルミナを主成分とする第1のセラミック基板(中間絶縁層)9と、アルミナを主成分とする第2のセラミック基板(外部絶縁層)11とを備えており、第1のセラミック基板9の表面には、タングステンを主成分とする放電電極(放電電極)13が形成されるとともに、第2のセラミック基板11の表面には、タングステンを主成分とする誘電電極(誘導電極)15が形成されている。また、第1のセラミック基板9の表面上には、放電電極13全体を覆う様に、アルミナを主成分とするセラミックコート層17が形成されている。特に、放電電極13は、そのピッチAが0.8mmのメッシュ状(導線13aが直交する格子状)の構成である。
請求項（抜粋）：
放電電極と誘電電極との間に電圧を印加して、前記放電電極側にてイオンを発生させるイオン発生素子において、前記放電電極をセラミック基体の表面側に配置するとともに、前記誘電電極を前記セラミック基体の内部に配置したことを特徴とするイオン発生素子。
IPC (3件)：
H01T 19/00 ,  F24F 7/00 ,  H01T 23/00
FI (3件)：
H01T 19/00 ,  F24F 7/00 B ,  H01T 23/00
引用特許：
審査官引用 (7件)
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