レーザアニール装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336809
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153261
出願日： 2006年12月14日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】ガスノズルの構成による設計上の制約を受けずに、伝送光学系の小型化や多機能化が図られるレーザアニール装置を提供する。【解決手段】レーザアニール装置は、ガラス基板3bおよび該ガラス基板3b上に形成されたシリコン膜3aを含むワーク基板3に対して、レーザ光2を照射するものであって、シリコン膜3a側に配置され、シリコン膜3aに向けて不活性ガスを吹き付けるためのガスノズル4と、ガラス基板3b側に配置され、該ガラス基板3bを介してシリコン膜3aにレーザ光2を照射するための伝送光学系101などで構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明基板および該透明基板上に形成された材料層を含むワーク基板に対して、レーザ光を照射するためのレーザアニール装置であって、材料層側に配置され、材料層面に向けて不活性ガスを吹き付けるためのガスノズルと、透明基板側に配置され、該透明基板を介して材料層にレーザ光を照射するための伝送光学系と、を備えることを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 21/683 , H01L 21/677

FI (5件)：

H01L21/268 J , H01L21/268 G , H01L21/20 , H01L21/68 N , H01L21/68 A

Fターム (23件)：

5F031CA05 , 5F031FA02 , 5F031FA07 , 5F031GA53 , 5F031GA62 , 5F031HA37 , 5F031HA39 , 5F031MA30 , 5F031NA04 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CE05 , 5F152EE08 , 5F152EE16 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF47 , 5F152FG13 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FH03

引用特許：

出願人引用 (2件)

レーザーアニール装置用ノズルおよびそれを用いたレーザーアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-313755 出願人：島田理化工業株式会社, 三菱電機株式会社
レーザアニール方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-021032 出願人：石川島播磨重工業株式会社

審査官引用 (8件)

特開平3-138925
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-355837 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザー照射装置及びレーザー照射方法および半導体装置および半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-277975 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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