特許

J-GLOBAL ID：200903080787236846

レーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-115794
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017411
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、本発明は、オフ電流値が低く、バラツキが抑えられたTFTを得ることを課題とする。【解決手段】酸素を含む雰囲気下で半導体膜102に第1のレーザ光の照射(エネルギー密度400〜500mJ/cm2)を行い表面の凹凸の大きい半導体膜102bを得た後、第1のレーザ光の照射で形成された酸化膜105aを除去し、その後に酸素濃度が10ppm以下の不活性気体を吹き付けつつ第2のレーザ光の照射(第1のレーザ光の照射におけるエネルギー密度より高い)を行うことで半導体膜102bの表面を平坦化し、表面凹凸の少ない半導体膜102cを得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に半導体膜を形成する第1工程と、不活性気体を前記半導体膜に大気を混入させることなく吹き付けながらレーザ光を照射して半導体膜をアニールする第2の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (125件)：

2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA13 ,  2H092NA19 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA01 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• レーザーアニール処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-258852   出願人：株式会社日本製鋼所
• 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012240   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232546   出願人：富士通株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-054836   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-301252   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体膜の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-281451   出願人：株式会社東芝