特許
J-GLOBAL ID：200903057591076890

レーザー照射装置及びレーザー照射方法および半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について

, 
河崎 律子

河崎 律子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085354
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアニールにより、1μm以上の粒径の多結晶珪素膜を形成する。【解決手段】 レーザー装置101から出射したビームをハーフミラーにより、2分割する。2分割されたビームはシリンドリカルレンズ102〜105、207によって線状に整形されたのち、被照射面209を同時に照射する。被照射面209に、非晶質珪素膜が形成されたガラス基板を配置すると、非晶質珪素膜には表面から入射する線状ビームと、ガラス面を透過した線状ビームが同じ箇所に照射され結晶化される。
請求項（抜粋）：
基板の表面側及び裏面側からレーザービームを同時に照射するレーザー照射装置であって、前記基板を重力の向きと平行な方向に移動させる手段を有することを特徴とするレーザー照射装置。
IPC (2件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/20
Fターム (15件)：
5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052JA04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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