特許

J-GLOBAL ID：200903043303933928

ドライバ回路

発明者： 黒澤 晋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-265123
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 相補導電型MOSFETを含むドライバ回路において、高速動作と低消費電力とを実現する。【構成】 MOSFET106について、そのオン動作時に低閾値電圧状態にせしめる電圧をそのボディ端子112に印加し、そのオフ動作時には高閾値電圧状態にせしめる電圧をそのボディ端子112に印加する。MOSFET105についても、そのオン動作時に低閾値電圧状態にせしめる電圧をそのボディ端子111に印加し、そのオフ動作時には高閾値電圧状態にせしめる電圧をそのボディ端子111に印加する。【効果】 オン動作を高速にでき、かつオフ動作時に消費電力を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

相補導電型MOSトランジスタを含むドライバ回路であって、前記MOSトランジスタのオン動作時に該トランジスタを低閾値電圧状態にせしめる第1の電圧を該トランジスタのボディ端子に印加し、前記MOSトランジスタのオフ動作時に該トランジスタを高閾値電圧状態にせしめる第2の電圧を該トランジスタのボディ端子に印加する制御トランジスタを含むことを特徴とするドライバ回路。

IPC (4件)：

H03K 17/567 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/0948

FI (4件)：

H03K 17/56 E ,  H03K 17/687 F ,  H03K 19/00 101 J ,  H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 出力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-156868   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体回路及びMOS-DRAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-282306   出願人：三菱電機株式会社