特許
J-GLOBAL ID:200903043312365320
薄膜形成装置および薄膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-048899
公開番号(公開出願番号):特開平10-247643
出願日: 1997年03月04日
公開日(公表日): 1998年09月14日
要約:
【要約】【課題】 大口径の基板に対して低コストで薄膜を形成することができ、またシートフィルムのたわみによる薄膜の転写不良を解決し平坦性および膜厚の均一性を確保する。【解決手段】 薄膜形成室2内に、試料台3、転写板4、試料台支え板5、シートフィルム支持機構6等を配設する。シートフィルム支持機構6によってシートフィルム10を張力を付与した状態で支持する。試料台支え板5を上昇させてシートフィルム10を転写板4の下面に押し付ける。さらに上昇させて試料台3上のウエハ8をシートフィルム10に押し付ける。これによりシートフィルム10の表面に形成されている薄膜がウエハ8の表面に転写される。
請求項(抜粋):
加熱手段を有する試料台と、この試料台と薄膜が形成されたシートフィルムを挟んで対向し前記試料台上に載置された基板に前記薄膜を転写する転写板と、前記シートフィルムに張力を与えた状態でシートフィルムを支持するシートフィルム支持機構を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/31 A
, H01L 21/312 Z
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭60-182138
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特開昭62-259427
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全体的プレーナ装置及びその方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-013038
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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特開昭60-182138
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特開昭62-259427
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半導体素子の実装方法およびその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-172888
出願人:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
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粘着剤層転写方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-113680
出願人:日東電工株式会社
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