特許

J-GLOBAL ID：200903043333708910

薄膜トランジスタ

発明者： 伊藤 学 ,  関根 徳政
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-345457
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150157
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの動作に影響を与えずに、透明な酸化物半導体の利点である開口率を高く保つことができる薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】透明な基材上に、酸化物からなる半導体活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び前記ゲート電極と前記半導体活性層の間に配置されたゲート絶縁膜を有することを薄膜トランジスタにおいて、少なくとも前記基材の、半導体活性層のバンドギャップエネルギー波長よりも波長が短い光に対する透過率を10%以下とすることにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明な基材上に、酸化物からなる半導体活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び前記ゲート電極と前記半導体活性層の間に配置されたゲート絶縁膜を有することを薄膜トランジスタにおいて、少なくとも前記基材の、半導体活性層のバンドギャップエネルギー波長よりも波長が短い光に対する透過率が10%以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C

Fターム (41件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 酸化物透明導電膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-355781   出願人：北海道電力株式会社