特許
J-GLOBAL ID：200903043372182640
多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190270
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035275
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないGaN単結晶のエピタキシャル成長を可能とするGaN結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法を提供する。【解決手段】基板1に異なる材料からなる層2a,3aを二層以上形成し、前記各層2a,3aに熱処理を加えることにより基板1上に空隙を有する第二の多孔質層2と第一の多孔質層3を形成したものである。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に複数の多孔質層を有し、前記多孔質層のうちの最表面に位置する多孔質層における空隙の平均開口部径が、前記最表面に位置する多孔質層よりも基板側に位置する多孔質層における空隙の直径よりも小さいことを特徴とする多孔質基板。
IPC (3件)：
C30B29/38
, C23C16/34
, H01L21/205
C30B29/38 D
, C23C16/34
, H01L21/205
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077TA04
, 4G077TB05
, 4G077TK08
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA38
, 4K030CA05
, 4K030FA10
, 4K030HA03
, 4K030HA04
, 4K030JA06
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045HA06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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