特許
J-GLOBAL ID：200903009119101002
窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343728
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 欠陥密度の少ないGaN単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。
請求項（抜粋）：
表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積する工程、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成する工程、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて、前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる工程を含むことを特徴とする、窒化ガリウム結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01S 5/323 610
H01L 21/205
, H01S 5/323 610
5F045AA04
, 5F045AA18
, 5F045AB14
, 5F045AB40
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA12
, 5F045DB02
, 5F045HA16
, 5F045HA25
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073EA28
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
