特許

J-GLOBAL ID：200903009119101002

窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板

発明者： 碓井 彰 ,  柴田 真佐知 ,  大島 祐一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日立電線株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343728
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 欠陥密度の少ないGaN単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積する工程、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成する工程、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて、前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる工程を含むことを特徴とする、窒化ガリウム結晶基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (19件)：

5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DB02 ,  5F045HA16 ,  5F045HA25 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063688   出願人：日本電気株式会社
• 特許第3631724号
  
• 半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-240384   出願人：日立電線株式会社
• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-240385   出願人：日立電線株式会社
• GaN系半導体基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-057909   出願人：三菱電線工業株式会社