特許
J-GLOBAL ID：200903068103038145
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大渕 美千栄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188422
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【解決手段】 GaNを主成分とするバッファ層の核化プロセスを制御しひずみを低減させるための薄い多孔表面層またはパターンが形成された構造を持つサファイア基板の使用が開示されている。この多孔表面層またはパターンが形成された構造は、適宜なマスクを用いた、レーザー走査、プラズマエッチングまたは化学気相成長法により形成される。
請求項（抜粋）：
非対称なクラッドを有する発光ダイオード構造であって、四元InAlGaNバッファ層の核化プロセスを制御しひずみを低減させる、薄い多孔表面層またはパターン状に形成された多孔構造を持つ、サファイア基板と、四元InAlGaNバッファ層と、n-GaN層と、前記電子放出層と前記活性層の間に位置し、III-V族物質からなる、トンネル障壁および電子拡散層と、III-V族物質から成り、電子と正孔に対する単一または多数の電位の井戸を形成し、その電位の井戸においては電子と正孔の発光再結合が起きる、活性層と、p型AlGaNからなる正孔放出層と、p型InGaNからなるp型コンタクト層と、前記正孔放出層に対する金属のオーミックコンタクト部と、を備える発光ダイオード構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
