特許
J-GLOBAL ID：200903043467410977
導波路型半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159461
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012912
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【目的】 光吸収層の層厚を薄くしても内部量子効率が低下することのないようにして、動作電圧が低く結合トレランスの高い素子を提供できるようにする。【構成】 n+ -InP基板1上にn+ -InGaAsP中間屈折率層2、n--InGaAs光吸収層3、p+ -InGaAsP価電子帯不連続緩和層4、p+ -InPクラッド層5aを順次積層し、エッチングにより幅10μmの導波路メサを形成する。中間屈折率層2の屈折率が、中間屈折率層2と光吸収層3で構成される導波路の一つの導波モードの等価屈折率に等しくなるように設定されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板またはその上に形成された第1のクラッド層上に光吸収層と第2のクラッド層とが形成され、少なくとも前記光吸収層と前記第2のクラッド層とがメサ状に加工されている導波路型受光素子において、前記半導体基板若しくは第1のクラッド層と前記光吸収層との間または前記光吸収層と前記第2のクラッド層との間の少なくとも一方には、屈折率が光吸収層の屈折率よりも小さく半導体基板または第1、第2のクラッド層の屈折率より大きい中間屈折率層が配置され、素子内を導波する光の一つの導波モードの等価屈折率が前記中間屈折率層の屈折率と等しいことを特徴とする導波路型半導体受光素子。
引用特許：
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