半導体受光素子および装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170710
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037320
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】他の光デバイスとの整合性が良く、しかも同時に低動作電圧化とフラットエンドファイバとの高光結合可能な端面入射型の半導体受光素子を提供する。【構成】第一の半導体層である半導体基板15上に、半導体基板15よりもバンドギャップの大きい第二の半導体層11、第二の半導体層11よりもバンドギャップが小さいかつ信号光に対して受光感度を有する第三の半導体層12、第三の半導体層12よりもバンドギャップが大きい第四の半導体層13、第四の半導体層13よりもバンドギャップが大きい第五の半導体層14を順次積層した構造で構成され、第二の半導体層11と第三の半導体層12および第四の半導体層13の合計層厚はフラットエンドファイバのコア径に近い6μm以上とし、端面から光を入射するための光導波路構造を有し、その幅はフラットエンドファイバのコア径にほぼ等しい10μm以上とする。【効果】低動作電圧化とフラットエンドファイバとの光結合効率を80%以上に向上することができ、外部量子効率や位置ずれトレランスの改善を図ることができる。

請求項（抜粋）：

第一の半導体層と、該第一の半導体層上に第一の半導体層よりもバンドギャップが小さい第二の半導体層と、該第二の半導体層上に第二の半導体層よりもバンドギャップが小さい第三の半導体層と、該第三の半導体層上に第三の半導体層よりもバンドギャップが大きい第四の半導体層と、該第四の半導体層上に第四の半導体層よりもバンドギャップが大きい第五の半導体層とで構成され、前記第三の半導体層のキャリア濃度は第一、第二、第四及び第五の半導体層のキャリア濃度よりも低く、かつ信号光に対して受光感度を有し、前記第二あるいは第四の半導体層と第三の半導体層の境界界面近傍、または第二あるいは第四の半導体層内にpn接合を有し、端面から光を入射するための手段を備えたことを特徴とする端面入射型の半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 31/0232

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/02 C

引用特許：

審査官引用 (45件)

受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-153378 出願人：日立電線株式会社
特開平2-094573
特開平2-000929

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