層間絶縁膜の形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189577
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】三層以上の金属配線を積層する際に各配線の間に介在させる層間絶縁膜の形成方法に関し、層間絶縁膜全体の埋込み性や平坦性を維持するとともに、Al配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーション、ウエハの反り、或いは層間絶縁膜のクラックの発生を抑制する。【解決手段】被堆積基板21上に異なる応力を有する絶縁膜22a〜22e,23a〜23dを積層し、全体の応力が調整された多層を形成する。

請求項（抜粋）：

被堆積基板上に異なる応力を有する絶縁膜を積層し、全体の応力が調整された多層を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052136 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-284447
特開平2-284447

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