特許
J-GLOBAL ID：200903019091184433

リードフレームの製造方法

発明者：
大沢 健治

大沢 健治 について

, 
伊藤 誠

伊藤 誠 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213863
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 品質の高いリードフレームを簡単に製造することができるリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】 銅板11の上に選択的にパターン層12を形成し、このパターン層12を形成した基板の表面にパターン層12をマスクとして金をめっきして金層13aを形成する。次いで、この金層13aの上に銅をめっきして銅層13bを形成し、金銅13aと銅層13bの2層からなる細線リード13を形成する。その後、パターン層12を選択的に除去し、絶縁レジスト膜14を形成して銅板11をエッチングする。この際、金層13aをエッチングストップ層とする。これにより2層の層構造を有する細線リード13を有するリードフレームが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極に対して細線リードが電気的に接続されると共に、細線リードのうち少なくとも半導体チップとの電気的接続部が2層以上の層構造を有するリードフレームの製造方法であって、基板上に金属めっきに対するマスク用のパターン層を形成する工程と、前記パターン層が形成された側の基板の表面に、前記パターン層をマスクとして2以上の金属を順にそれぞれめっきして2以上の層を形成し、2層以上の層構造を有する細線リードを形成する工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 S ,  H01L 21/60 311 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM