新規な化合物、高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-184673
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063318
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】高解像性のレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を製造するのに好適な化合物、該高分子化合物を含有するレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物[式中、Rは水素原子または低級アルキル基であり;Xは硫黄原子または酸素原子であり;Yは、水素原子の一部がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい炭素数1〜20の鎖状、分岐状または環状のアルキル基、もしくは該アルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されている基である。]。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物。

IPC (7件)：

C08F 20/54 , C07C 233/91 , C07C 275/50 , C07C 335/26 , G03F 7/033 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (7件)：

C08F20/54 , C07C233/91 , C07C275/50 , C07C335/26 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (38件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB15 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4H006BJ20 , 4H006BV62 , 4J100AL08Q , 4J100AL16Q , 4J100AM21P , 4J100BA02Q , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA20Q , 4J100BA34P , 4J100BA50P , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-369340 出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (6件)

複合刺激応答性高分子誘導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-080583 出願人：工業技術院長, 財団法人化学技術戦略推進機構
特開昭60-115932
重合性マロン酸誘導体および硬化性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-128290 出願人：昭和電工株式会社

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