特許

J-GLOBAL ID：200903043509748817

半導体装置の作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  大沼 英人 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204774
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045518
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 熱アニールによって結晶化したシリコン膜をパターニングした後、強光照射によって、短時間のアニールをおこなう。特に、熱アニールにおける結晶化工程は、ニッケル等の結晶化を促進させる元素を混入することによっておこなう。強光の照射によって熱アニールで結晶化しなかった部分も結晶化され、緻密なシリコン膜が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に非単結晶珪素膜を形成する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜を加熱アニールによって結晶化させる第2の工程と、前記非単結晶珪素膜を島状にパターニングする第3の工程と、該工程にひき続いて近赤外から可視光、好ましくは波長4μm〜0.5μmの強光の照射によって結晶化を助長させる第4の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-099347
  
• 特開昭62-181419
  
• 特開昭61-063017
  
• 半導体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-246798   出願人：ソニー株式会社