特許

J-GLOBAL ID：200903043526898512

半導体結晶の形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 浅井 市郎 ,  宮本 育昌
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316485
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 低温下で結晶性の良好な結晶核を選択的に形成するとともに、これを用いて結晶性が良好でかつ粒径が大きくまた粒径分布を制御され、平坦性に優れた半導体膜を低温でかつスループットよく絶縁性基板上に形成できる半導体結晶の形成方法及びかかる形成方法に基づいた半導体素子を提供する。【構成】 本発明の第1の特徴は、絶縁性基板1表面に島状のパターンからなる第1の半導体薄膜3を形成する第1の半導体薄膜形成工程と、前記第1の半導体薄膜に短波長パルスレーザを照射し凝集固化させて成長用の核4を形成する核形成工程と、前記核の上部を覆うように第2の半導体薄膜5を堆積する第2の半導体薄膜堆積工程と、前記第2の半導体薄膜に、短波長パルスレーザ光を照射して結晶成長させる結晶成長工程とを含むことにある。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板表面に第1の半導体薄膜を島状に形成する第1の半導体薄膜形成工程と、前記第1の半導体薄膜に短波長パルスレーザを照射し凝集固化させて成長用の核を形成する核形成工程と、前記核を覆うように第2の半導体薄膜を堆積する第2の半導体薄膜堆積工程と、前記第2の半導体薄膜に、短波長パルスレーザ光を照射して結晶成長させる結晶成長工程とを含むことを特徴とする半導体結晶の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-132212
  
• 多結晶半導体膜およびこれを用いた薄膜トランジスタ並びに多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092260   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305890   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開昭63-292619