特許
J-GLOBAL ID：200903043544739200

半導体装置及びそれを用いた電力変換装置

発明者：
桜井 直樹

桜井 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278161
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102392
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】局所ライフタイム制御が施されるIGBTにおいて、オン電圧の増大や負性抵抗の発生を防止する。【解決手段】局所ライフタイム制御領域20のキャリアライフタイムを、ブロッキング時に空乏層がp+ 層1まで到達するのを防止するために設けられるn層2のキャリアライフタイムよりも短くする。【効果】p+ 層からのキャリアの注入効率の低下が防止されるので、オン電圧の増大や負性抵抗の発生が防止される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層に隣接する第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層に隣接し、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い前記第2導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層内に位置する前記第1導電型の第4半導体層と、前記第4半導体層内に位置する前記第2導電型の第5半導体層と、前記第3,第4及び第5半導体層の各表面上に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上に位置する第1電極と、前記第1半導体層に電気的に接続される第2電極と、前記第4及び第5半導体層に電気的に接続される第3電極と、を備え、前記第3半導体層は局所ライフタイム制御領域を有し、前記局所ライフタイム制御領域のライフタイムが前記第2半導体層のライフタイムよりも短い半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/78 655 ,  H02M 7/48
FI (5件)：
H01L 21/322 L ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/78 655 A ,  H02M 7/48 Z ,  H01L 29/78 658 H
Fターム (4件)：
5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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