特許

J-GLOBAL ID：200903043557262888

III族酸化物系単結晶の製造方法

発明者： 島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア ,  吉川 幸雄 ,  本多 信之
出願人/特許権者： 株式会社光波
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098208
公開番号（公開出願番号）：特開2006-273684
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 β-Ga2O3系単結晶8は、FZ法(フローティングゾーン法)により製造される。β-Ga2O3系種結晶7と、目的のβ-Ga2O3系単結晶8の外径に応じた量の熱融解性調整用添加物を添加したβ-Ga2O3系多結晶からなる燒結素材9との接触部を加熱融解して融解帯8dを形成する。その融解帯8dの温度降下により、種結晶7の先端に単結晶8が育成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族酸化物系単結晶からなる種結晶と目的のIII族酸化物系単結晶に熱融解性調整用添加物を添加したIII族酸化物系焼結素材とを準備し、 前記種結晶と前記III族酸化物系焼結素材とを近接させて加熱融解させることにより前記種結晶と前記III族酸化物系焼結素材とが溶解した接合部を形成し、 前記接合部の温度降下に基づいて前記目的のIII族酸化物系単結晶を製造することを特徴とするIII族酸化物系単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ,  C30B 13/00

FI (2件)：

C30B29/16 ,  C30B13/00

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077BB10 ,  4G077CE03 ,  4G077EC05 ,  4G077EC07 ,  4G077HA02 ,  4G077NA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• β-Ga2O3系単結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-046552   出願人：学校法人早稲田大学
• 特開昭61-251598
  
• 特開昭61-236697
  
• 特開昭61-251598
  
• 特開昭61-236697
  
• 半導体層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-290862   出願人：株式会社光波

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Synthesis and control of conductivity of ultraviolet transmitting β-Ga2O3 single crystals