特許

J-GLOBAL ID：200903046783492577

半導体層

発明者： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア ,  青木 和夫
出願人/特許権者： 株式会社光波
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290862
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064153
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 結晶品質の高いGaN系エピタキシャル層を得ることができる半導体層を提供する。【解決手段】 この半導体層は、β-Ga2O3単結晶からなるβ-Ga2O3基板1と、β-Ga2O3基板1の表面に窒化処理を施して形成されたGaN層2と、GaN層2にMOCVD法によりエピタキシャル成長して形成されたGaN成長層3とを備える。GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Ga2O3系半導体からなる第1の層と、 前記第1の層の酸素原子の一部あるいは全部を窒素原子に置換することにより得られる第2の層により構成されたことを特徴とする半導体層。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201

FI (4件)：

H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L29/201

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA52 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭52-36117号公報
  

審査官引用 (5件)

• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-157588   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-220937   出願人：学校法人東海大学
• 半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-071746   出願人：吉川明彦, 双葉電子工業株式会社
• III族窒化物エピタキシャル基板及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266804   出願人：日本碍子株式会社
• 発光素子の製造方法及び発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-232608   出願人：信越半導体株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (1 1 1) by annealing