特許
J-GLOBAL ID：200903043580871727

半導体装置の製造方法

発明者：
阿南 隆由

阿南 隆由 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
技術研究組合新情報処理開発機構

技術研究組合新情報処理開発機構 について


代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223842
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体/酸化膜積層構造の基板は、酸化膜となるAlAs層と格子定数のほぼ等しいGaAs基板に限定されていた。【解決手段】 半導体基板であるInP基板10上に、InP基板10とほぼ格子整合する酸化され易い第1の半導体層(AlP0.4Sb0.6層)11-1〜11-4と、酸化されにくい第2の半導体層(GaP0.35Sb0.65層)12-1〜12-4とが積層された交互積層構造を形成する第1の工程と、酸化雰囲気中で半導体層11-1〜11-4のみを酸化してAlOX層14-1〜14-4を形成する第2の工程とを含む。AlP0.4Sb0.6層11-1〜11-4は、PとSbの組成比を選ぶことにより、InP基板10と格子整合させながら厚く積層される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、該半導体基板とほぼ格子整合する酸化され易い第1の半導体層と、酸化されにくい第2の半導体層とが少なくとも一対積層された交互積層構造を形成する第1の工程と、酸化雰囲気中で前記第1の半導体層のみを酸化して絶縁体を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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