特許
J-GLOBAL ID：200903073616599618

面発光デバイスおよびその製造方法

発明者：
齋藤 英彰

齋藤 英彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314936
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135051
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【目的】 発振波長の異なる垂直共振器型面発光レーザを同一基板上に容易にかつ高い発光波長制御の下で集積化できるようにする。【構成】 基板上に、下層多層反射膜1、下層クラッド層2、活性層3、上層クラッド層4、下側上層多層反射膜5a、波長チューニングAlAs層6、上側上層多層反射膜5bを成長させる〔図2(a)〕。上側上層多層反射膜5bおよび波長チューニングAlAs層6をパターニングして1段メサと2段メサを形成し、1段メサの方はメサ全体を覆うように、2段メサの方は上部の1段メサ部分のみを覆うようにSiN膜7を形成する〔図2(b)〕。酸化処理を行って側面が露出している波長チューニング層6を酸化する〔図2(c)〕。電極形成のためのウェハ加工を行い、p側電極8、n側電極9を形成する〔図2(d)〕。
請求項（抜粋）：
下層反射膜、下層クラッド層、活性層、上層クラッド層および上層反射膜がこの順に積層されて構成された面発光レーザを有する面発光デバイスにおいて、上層クラッド層上には化学変化により屈折率が変化する材料からなる波長チューニング層が形成されていることを特徴とする面発光デバイス。
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM