特許
J-GLOBAL ID：200903043620022612

気相成長装置用サセプター

発明者：
西畑 秀樹

西畑 秀樹 について


出願人/特許権者：
住友シチックス株式会社

住友シチックス株式会社 について


代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100774
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277193
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 横型枚葉式気相成長装置において、ウェーハを搬送する際にウェーハが滑ることがなく、サセプター表面には従来のローレットによる異常な突起が発生しないよう構成された該装置用のサセプターの提供。【構成】 サセプター10に凹部として形成したザグリ部11の周端部12を傾斜面となし、同部でウェーハ3の裏面外周部と接触支持する構成となし、サセプター上でのウェーハのスベリを防止し、サセプター表面に異常突起等がないためスリップや汚染等を低減する。
請求項（抜粋）：
サセプターの表面および/または裏面側に加熱手段を設けた枚葉式の気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載置するための凹部として形成したザグリ部の周端部の形状をザグリ部中心側から上昇する傾斜面としたことを特徴とする気相成長装置用サセプター。
IPC (3件)：
C30B 25/12 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B 25/12 ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-199196
  • 特開平4-078130
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211707   出願人：富士通株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM