特許
J-GLOBAL ID:200903043648525423
ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置、およびセンサ素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-043606
公開番号(公開出願番号):特開2009-198467
出願日: 2008年02月25日
公開日(公表日): 2009年09月03日
要約:
【課題】流路において露出したナノ構造体を有するセンサ素子であり、信頼性が高く簡易に形成できるセンサ素子を提供する。【解決手段】シリコンナノワイヤ3は、少なくとも一部を溝部5において露出し、かつ、基板2と一体に構成されている。また、基板に形成されたソース半導体領域は溝部5の片側の側壁の一部を成し、ドレイン半導体領域は溝部5のもう片側の側壁の一部を成している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
溝部が設けられた面を有する基板と、
少なくとも一部を上記溝部において露出し、かつ、上記基板と一体に構成されたナノ構造体と、
上記記ナノ構造体と同質の材料で構成され、上記ナノ構造体と接続し、かつ、上記溝部の両側壁のそれぞれ一部を成すように上記基板に形成されたナノ構造体接続領域と、
を有していることを特徴とするセンサ素子。
IPC (3件):
G01N 27/00
, B82B 3/00
, B82B 1/00
FI (3件):
G01N27/00 Z
, B82B3/00
, B82B1/00
Fターム (9件):
2G060AA07
, 2G060AD06
, 2G060AE17
, 2G060AG01
, 2G060AG06
, 2G060AG15
, 2G060DA02
, 2G060DA06
, 2G060DA09
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
ナノセンサ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2002-549958
出願人:プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
審査官引用 (7件)
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