特許

J-GLOBAL ID：200903043648967108

半導体装置の製造方法

発明者： 轟原 ひろみ ,  三浦 英生 ,  西村 朝雄 ,  安藤 則夫 ,  藤井 裕二 ,  藤田 昌洋 ,  小林 芳久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059360
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255769
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエハとニッケルのシリサイド反応が阻害されることなく、安定なニッケルシリサイドを形成し、電極との間の機械的および電気的接続が良好である半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコンウエハ70の裏面に、ウエハ温度を100°C〜300°Cの範囲の所定温度でニッケル膜33aを堆積した後、ニッケル膜33aが形成されたシリコンウエハ70に加熱処理を行い、ニッケルシリサイド層33を形成する。【効果】 シリコンウエハ裏面に緻密なニッケル膜を形成することができるため、加熱処理によってニッケルシリサイドを形成する際、シリサイド反応が阻害されることがなく、接着性のよいニッケルシリサイドを形成することができる。このため電極との間の機械的および電気的接続が良好になる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハに接してニッケル膜を堆積する工程と、前記ニッケル膜と前記シリコンウエハとを加熱処理により反応させて、ニッケルシリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記ニッケル膜を堆積するときのシリコンウエハ温度が、100°Cないし300°Cであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/16 ,  H01L 21/203

FI (6件)：

H01L 21/285 301 S ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/16 Z ,  H01L 21/203 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-059628   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-180968   出願人：株式会社東芝