特許

J-GLOBAL ID：200903070558074675

半導体装置の製造方法

発明者： 藤沢 哲也 ,  佐藤 光孝 ,  河西 純一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044472
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254654
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明はベアチップの電極パッド上に外部端子となるバンプが設けられる半導体装置の製造方法に関し、確実に基板に実装することができる半導体装置を製造することを目的とする。【構成】 ベアチップ12の電極パッド12a上に第1のバンプ17を封止部15の厚さより高く形成する。該第1のバンプ17の頂部を上下金型24a,24bで押しつぶす。この結果、頂部が押しつぶされた第1のバンプ18が形成される。該第1のバンプ18の上面18aを露出させて該ベアチップ12を封止する封止部15を形成する。該第1のバンプ18の露出面18a上に第2のバンプ14を形成して構成する。

請求項（抜粋）：

ベアチップ(12)の電極パッド(12a)上に樹脂封止部(15)の厚さより高く複数の第1のバンプ(17)を形成する工程と、該複数の第1のバンプ(17)に金型(24a,24b)を当接させ該複数の第1のバンプ(17)の頂部を押しつぶした状態で樹脂による封止を行い、頂部が押しつぶされた複数の第1のバンプ(18)の上面(18a)が露出した樹脂封止部(15)を形成する工程と、該複数の第1のバンプ(18)のそれぞれの上面(18a)上に第2のバンプ(14,14a,14b,14c)を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302501   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-147735
  
• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201965   出願人：三菱電機株式会社