特許

J-GLOBAL ID：200903043671327086

半導体チップ及び半導体装置の製造方法

発明者： 榎本 亮 ,  矢橋 英郎 ,  杉山 直 ,  畑田 賢蔵
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 田下 明人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219250
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174051
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 強固に配線基板側に接続することができる半導体チップ、及び、該半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 軟質樹脂で構成された第2の絶縁層236に非貫通孔236aが形成され、該非貫通孔には銅めっきにより、フィルドビア239が形成されており、半導体チップ30と基板50との熱膨張差により発生する応力が小さく、しかも集中しないため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性でもって基板に実装することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド側に、第1の絶縁層と導体回路層と第2の絶縁層が順に積層されてなり、前記第1の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、前記第2の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔には銅めっきによりフィルドビアが形成されてなることを特徴とする半導体チップ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• チップサイズパッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221760   出願人：沖電気工業株式会社
• バンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204254   出願人：株式会社東芝