特許
J-GLOBAL ID：200903043682321586
半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198829
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016321
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 短波長から長波長まで、発振波長の自由度に優れた半導体レーザを、動作時の特性劣化を生じることなく、長期信頼性の下に提供する。【解決手段】 第1のコンタクト層103に、半導体レーザの長手方向と略平行に凹部4を形成する。そして、中間層105を介して凹部4に起因した段差を埋めるように第1のクラッド層106を形成する。次いで、第1のクラッド層106上に、第1の光ガイド層107、活性層108、第2の光ガイド層109、第2のクラッド層110、第2のコンタクト層111を順次形成する。さらに、p電極114及びn電極115を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、バッファ層と、第1のコンタクト層と、第1のクラッド層と、第1の光ガイド層と、活性層と、第2の光ガイド層と、第2のクラッド層と、第2のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体レーザであって、前記第1のコンタクト層は、前記半導体レーザの長手方向に略平行な凹部を有し、前記第1のコンタクト層と前記第1のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶状の中間層を具えることを特徴とする、半導体レーザ。
Fターム (11件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA25
出願人引用 (1件)
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-248038
出願人：科学技術振興事業団
審査官引用 (1件)
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-248038
出願人：科学技術振興事業団
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