特許
J-GLOBAL ID：200903057613281344
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077471
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 従来、水平横モードの光閉じ込めが不十分で、低しきい値電流動作で安定した単一横モード動作可能なGaN系半導体レーザが実現できなかった。【解決手段】 電流狭窄層としてAlGaInN系を用い、該電流狭窄層を貫通するストライプ状の開口部を作製した後に活性層を含むレーザ結晶層を成長した構造を用いた。該電流狭窄層の組成を変えることによって、実屈折率導波型や損失導波型の導波路を形成することができる。さらに、電流狭窄層とn層の間に存在する格子不整合によるクラックを抑制するために低温中間層を用いるかまたは基板上の低温バッファ層の上のn層にAlGaInN系を用いることによりクラックを抑制し、低しきい値電流密度で安定した屈折率導波による単一横モード型GaN系半導体レーザを実現できる。
請求項（抜粋）：
基板と、n型層と、Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>In<SB>y </SB>N(0<x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)から成るp型または高抵抗電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、活性層とを備えた半導体レーザにおいて、基板とバッファ層の接する面から0.10μm以上離れた箇所からp電極間に成膜温度300〜800°Cで堆積したAl<SB>a </SB>Ga<SB>1-a-b </SB>In<SB>b </SB>N層(0≦a≦1,0≦b≦1,a+b≦1)を有する半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/223
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F073AA25
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073EA18
, 5F073EA23
, 5F073EA29
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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