半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353393
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299310
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】比較的簡便な手段を用いて効率的に、アスペクト比の高いトレンチ形状を得られるようにする。【解決手段】酸化膜マスク2をマスクとして、Si基板1を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ4を形成する。次に、トレンチ4の内壁に保護酸化膜11を形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ4の底部に配置された保護酸化膜11をエッチングすると共に、トレンチ4の底部においてSi基板1のエッチングを進める。そして、保護酸化膜11を形成する工程とトレンチ底部の再エッチング工程を繰り返し行ない、トレンチ4が所定の深さになるようにする。これらの工程をチャンバ21に導入するガス種を切り替えながら、プラズマ処理を行なうことによって、同一チャンバ内で行なうようにする。

請求項（抜粋）：

反応性イオンエッチングによりマスク(2)を施した半導体基板(1)をエッチングし、前記半導体基板上に前記マスク形状に対応したトレンチ形状を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板をチャンバー(21)内に導入する工程と、前記マスクを用いて、前記半導体基板を反応性イオンエッチングするトレンチ形成工程と、前記反応性イオンエッチング工程で形成されたトレンチ(4)の内壁に保護膜(11)として酸化膜を形成する工程と、前記トレンチの底部に配置された前記保護膜をエッチングしたのち、さらに、前記トレンチの底部において前記半導体基板を前記反応性イオンエッチングするトレンチ底部再エッチング工程とを有し、前記保護膜形成工程と前記トレンチ底部再エッチング工程とを繰り返し行ない、かつ、前記トレンチ形成工程、前記保護膜形成工程、および前記トレンチ底部再エッチング工程の各工程を前記チャンバー内に導入するガス種を切り替えながらプラズマ処理することによって行い、前記トレンチ形状を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 29/84

FI (2件)：

H01L 21/302 J , H01L 29/84 Z

Fターム (24件)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112DA03 , 4M112DA11 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA18 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EA12 , 5F004EA13 , 5F004EA28 , 5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-154622
特開昭61-113778
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-066403 出願人：ソニー株式会社

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