特許
J-GLOBAL ID：200903043695480608
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288510
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114666
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 平坦な光出射端面を有しかつ光出射端面から出射した光の反射が生じないGaN系半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に、バッファ層2、アンドープのGaN層3、n-GaN層4、n-クラック防止層5、n-AlGaNからなる第1クラッド層6、MQW発光層7、p-AlGaNからなる第2クラッド層8、p-コンタクト層9が順に形成されてなる。半導体レーザ素子100の両端面から所定幅の領域においてp-コンタクト層9からn-GaN層4の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面41および底面42を有する段差部300が形成されている。底面42の長さW1 は10μm以下である。
請求項（抜粋）：
基板上に、光を出射する発光層を含みかつガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体層を形成する工程と、前記基板を前記窒化物系半導体層とともに分割する工程と、前記分割された前記窒化物系半導体層の分割面をエッチングすることにより前記発光層の表面に対して垂直な光出射端面を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Fターム (10件)：
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA25
, 5F073DA26
, 5F073DA32
, 5F073DA34
, 5F073EA18
