特許
J-GLOBAL ID：200903050918648480
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190149
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【目的】 劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 C面を主面とするサファイア基板の上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層をエッチングして、窒化物半導体層のエッチング端面に共振面を作製する第1の工程と、エッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間のサファイア基板をA面若しくはM面で分割する第2の工程と、共振面より突出した基板を含む部分が、共振面より出射されるレーザ光を遮らないようにする第3の工程を備えることにより、レーザ光が共振面より突出した部分の平面で反射されないので楕円状のレーザ光が得られる。
請求項（抜粋）：
C面を主面とするサファイア基板の上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層をエッチングして、窒化物半導体層のエッチング端面に共振面を作製する第1の工程と、エッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間のサファイア基板をA面若しくはM面で分割する第2の工程と、共振面より突出した基板を含む部分が、共振面より出射されるレーザ光を遮らないようにする第3の工程を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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