特許
J-GLOBAL ID：200903043695823190

ガスバリア膜の作製方法及び作製装置並びにガスバリアフィルム

発明者：
中嶋 達司

中嶋 達司 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-217786
公開番号（公開出願番号）：特開2009-052063
出願日： 2007年08月24日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】原子層堆積法によるガスバリア性に優れたガスバリア膜の作製を効率的で安価に行うことができるガスバリア膜の作製方法及び作製装置を提供する。【解決手段】例えば図1の装置10を用い、長尺の基材フィルム2を連続して移動させながら、その基材フィルム2上に原子層堆積法による単原子層積層体からなるガスバリア膜1を作製する。この方法は、基材フィルム2の移動方向に、単原子層形成用の第1原料ガスを供給する第1原料ガス供給ステップ(第1原料ガス供給室62)と、単原子層形成用の第2原料ガスを供給する第2原料ガス供給ステップ(第2原料ガス供給室63)と、第1原料ガス及び第2原料ガスが混入するのを防ぐために第1原料ガス供給ステップと第2原料ガス供給ステップとの間に設けられた緩衝ステップ(緩衝室64)と、を有する少なくとも3種のステップ(処理室)を連続して多数配置してなる原子層堆積工程(原子層堆積装置53)を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
長尺の基材フィルムを連続して移動させながら、該基材フィルム上に原子層堆積法による単原子層積層体からなるガスバリア膜を作製する方法であって、 前記基材フィルムの移動方向に、 単原子層形成用の第1原料ガスを供給する第1原料ガス供給ステップと、 単原子層形成用の第2原料ガスを供給する第2原料ガス供給ステップと、 前記第1原料ガス及び前記第2原料ガスが混入するのを防ぐために前記第1原料ガス供給ステップと前記第2原料ガス供給ステップとの間に設けられた緩衝ステップと、 を有する少なくとも3種のステップを連続して多数配置してなる原子層堆積工程を有することを特徴とするガスバリア膜の作製方法。
IPC (5件)：
C23C 16/54 ,  C23C 16/40 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/56
FI (5件)：
C23C16/54 ,  C23C16/40 ,  B32B9/00 A ,  C23C14/24 D ,  C23C14/56 A
Fターム (26件)：
4F100AA19B ,  4F100AA27B ,  4F100BA02 ,  4F100EA02A ,  4F100EK01 ,  4F100GB41 ,  4F100JD02B ,  4F100JK17 ,  4K029AA11 ,  4K029BA44 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA07 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030HA01 ,  4K030LA24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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