特許

J-GLOBAL ID：200903043737523728

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 齋藤 義樹 ,  矢嶋 孝義 ,  牛田 泰久
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-188844
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049395
出願日： 2008年07月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子のp層表面に簡易に凹凸を形成する。【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子100は、サファイア基板10の上に、シリコンドープのGaNから成るnコンタクト層11、静電耐圧改善層110、多重層から成るnクラッド層12、多重量子井戸構造の発光層13、多重層から成るpクラッド層14、p型GaN層15と、極性反転層16が形成されている。極性反転層16はウエットエッチングにより形成された凹凸を有している。極性反転層16の上にはITOから成る透光性電極20が、nコンタクト層11の露出面上には電極30が形成されている。透光性電極20上の一部には、金(Au)合金から成る電極パッド25が形成されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子100は、極性反転層16を有しない発光素子と比較し、消費電力に対する発光出力の比が格段に向上した。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体発光素子において、 透光性電極を有し、 当該透光性電極を形成した層が、ウエットエッチングにより形成された凹凸を有する極性反転層であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285674   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100215   出願人：日亜化学工業株式会社