特許
J-GLOBAL ID:200903043780969128
微細パターン形成装置および微細パターンの形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
米田 潤三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-239462
公開番号(公開出願番号):特開2001-068827
出願日: 1999年08月26日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 インキを直接描画することにより微細パターンを高い精度で形成することができる微細パターン形成装置と、工程が簡便な微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 微細パターン形成装置を、表面から裏面に貫通するように設けられた複数の微細孔を有するシリコン基板と、このシリコン基板の表面側に配設された支持部材と、シリコン基板表面側の微細孔の開口部にインキを供給するためのインキ流路と、このインキ流路に接続されたインキ供給装置とを備えるものとし、この微細パターン形成装置とパターン被形成体とを相対的に所定方向に走査させながら、インキ流路から供給されたインキを各微細孔を介してパターン被形成体上に連続的に吐出させてストライプ状パターンを形成し、また、上記の微細パターン形成装置をパターン被形成体の所定位置に配置し、インキ流路から供給された一定量のインキを各微細孔を介してパターン被形成体上に吐出させることによりパターンを形成する。
請求項(抜粋):
シリコン基板と、該シリコン基板の表面から裏面に貫通するように設けられた複数の微細孔と、前記シリコン基板の表面側に配設された支持部材と、前記シリコン基板表面側の前記微細孔の開口部にインキを供給するためのインキ流路と、該インキ流路に接続されたインキ供給装置と、を備えることを特徴とする微細パターン形成装置。
IPC (3件):
H05K 3/10
, B41J 2/16
, G02F 1/13 101
FI (3件):
H05K 3/10 D
, G02F 1/13 101
, B41J 3/04 103 H
Fターム (27件):
2C057AF01
, 2C057AG04
, 2C057AG05
, 2C057AG07
, 2C057AG12
, 2C057AG14
, 2C057AG16
, 2C057AH05
, 2C057AJ10
, 2C057AN01
, 2C057AP13
, 2C057AP28
, 2C057AP32
, 2C057AP33
, 2C057AP56
, 2C057AQ02
, 2C057BF06
, 2H088EA67
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088HA02
, 2H088MA20
, 5E343AA26
, 5E343BB72
, 5E343DD15
, 5E343FF02
, 5E343GG11
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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