特許
J-GLOBAL ID：200903043809565994
評価用半導体装置及び半導体装置の試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275706
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125746
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の温度サイクル等の試験を行うに際し、汎用性のある評価用半導体装置を用いて半導体装置のアルミスライド寿命を推定できるようにする。【解決手段】 半導体チップ1の一部にパッシベーション膜からなる試験素子3を設け、透明樹脂2で封止した評価用半導体装置を形成し、この評価用半導体装置を温度サイクル試験に投入し、透明樹脂2を通して試験素子に進展するクラック5の長さデータを得る。得られたクラック成長のデータから樹脂の疲労パラメータを得て、試験対象半導体装置と同じ同プロセスの半導体装置から得られるアルミスライド寿命と、前記パラメータからプロセスのアルミスライド寿命推定式を得る。そして、このアルミスライド寿命推定式から試験対象の半導体装置のアルミスライド寿命を推定する。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、この半導体チップのチップコーナ部に設けられた試験素子と、前記半導体装置チップを封止する透明樹脂とで構成され、前記試験素子は前記封止樹脂からの一様な曲げモーメントが得られるパターンに形成されたことを特徴とする評価用半導体装置。
引用特許：
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